规格书 |
BSO303P H |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 21 mOhm @ 8.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 100µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 49nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2678pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 100µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 21 mOhm @ 8.2A, 10V |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 2W |
标准包装 | 2,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2678pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 49nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名称 | BSO303P HCT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
连续漏极电流 | - 8.2 A |
封装/外壳 | PG-DSO-8 |
零件号别名 | BSO303PHXUMA1 SP000613854 |
下降时间 | 39 ns |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
配置 | Dual |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 27 S |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | BSO303 |
RDS(ON) | 21 mOhms |
功率耗散 | 2 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 13 ns |
漏源击穿电压 | - 30 V |
栅极电荷Qg | - 36 nC |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 3.9 mm |
Qg - Gate Charge | - 36 nC |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 2 Channel |
商品名 | OptiMOS |
晶体管类型 | 2 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 8.2 A |
长度 | 4.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 21 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 1.75 mm |
典型导通延迟时间 | 11 ns |
Pd - Power Dissipation | 2 W |
技术 | Si |
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